TSMC dünyasındaki çipin en büyük uygulaması, 2029 yılına kadar uzanan güncellenmiş bir teknolojik takvim paylaşıyor. İlk kez yeni: TSMC'nin 2028 yonga serisinde üretmek istediği A14 üretim süreci için temel rakamlar. Ancak A14'ü sınıflandırmak için, önceki yeniliklere yalnızca bir bakış gereklidir.
En iyi TSMC üretim süreçleri şu anda 2022'nin sonundan bu yana seri olan N3 nesli süreçleridir. Farklı uygulama alanları için N3P ve N3E gibi optimize edilmiş varyantlar vardır. Örneğin Apple, şu anda N3E teknolojisi için A18 ve A18 Pro'yu üretti.
2025'in ikinci yarısında, A Sınıfı A 2 nanometrenin üretimi başlangıçta başlatıldı, bunu AMD ve Intel izliyor. N2 ile TSMC, yüzgeç şeklindeki alan etkisinin (Finfet) transistörlerini bir kapı allup (GAFET) yapısıyla değiştirir. TSMC bu nanosheet'i çağırıyor.
3 nm N3E işlemine kıyasla, N2 aynı elektrik tüketimi ile performansı yüzde 10'dan 15'e çıkarmalıdır. Alternatif olarak, aynı performansa sahip enerji tüketimi yüzde 15 ila 30 azalır. Transistörün yoğunluğu yaklaşık yüzde 15 artar.
Her zamanki gibi, temel teknolojinin gelişmiş varyantları, 2 nm üretiminde, yani N2P ve N2X'i gelir. N2P, bazı yüzde puanların performansını ve verimliliğini artırmayı amaçlamaktadır. Seri üretiminin 2026'nın ikinci yarısında başlaması bekleniyor. N2X 2027 için planlanıyor ve yüksek saat frekansları için açıkça tasarlandı – tepe değerleri yüzde 10 artmalıdır.
Önümüzdeki birkaç yılın TSMC'leri yol haritası. Gösterilmedi: 2029 için süper güç kılavuzu ile bir A14 sürümü geliştirildi.
(Resim: Tayvan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
A16 arka güç kaynağını tanıtıyor
Nesil N2'den sonra, Intel Foundry gibi TSMC, kızgın isimler şemasına geçer. A16 geçmişte sadece 1.6 nm olurdu – isimlerin hala gerçek yapısal genişliklerle ilgisi olmadığından, değişiklik hoş karşılanıyor.
A16 klasik anlamda yeni bir süreç değildir. Transistör yapısı, N2 üretimine kıyasla büyük ölçüde aynı kalır. Bununla birlikte, TSMC, Intel Power yollarına benzer şekilde SO -Called Super Power (SPR) kılavuzunu tanıtır. Bu teknoloji aynı zamanda arkada bir beslenme kaynağı olarak tanımlanır. Transistörlerin güç kaynağı için metal sistemler üstten alt kısmına yükselir. Bu, üstteki veri yollarını reddeder ve normal bir nesil sıçramasının yakınında TSMC'ye göre elektriksel özellikleri önemli ölçüde geliştirir.
TSMC, N2P'den daha yüksek performansın yüzde 8 ila 10'undan bahsediyor. Alternatif olarak, elektrik tüketimi yüzde 15 ila 20 azalır. Transistörler şairlerin detoksifikasyonu ile kavranabildiğinden, paketin yoğunluğu yüzde 7'den 10'a yükselir.
Bu iyileştirmeler TSMCS A16 işlemi ile sağlanır. PPA, performans (performans iyileştirmesi), güç (azaltılmış enerji tüketimi) ve alan (çip yoğunluğu) içindir.
(Resim: Tayvan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
Nanosheet ile A14 daha da gelişti
2028 için A14 ile TSMC, transistör yapısını daha da geliştirmektedir; Şirket bu nedenle ikinci nesil Nanosheet'ten bahsediyor. Ancak, ilk A14 sürümü süper güç kılavuzu olmadan sağlanır. SPR yoluyla iyileştirmeler olmadan, performansın artması başlangıçta ılımlıdır. TSMC sadece N2 ile karşılaştırılır (N2P değil!): Güçten % 15'e kadar veya yüzde 30 daha az enerji tüketimi.
A14 başlangıçta SPR olmadan gelir, bu yüzden avantajlar ilk bakışta orta derecede görünür.
(Resim: Tayvan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
Değerleri hesaplarsanız, A14 temel sürümü, performansın özellikleri açısından A16'dan neredeyse daha iyidir, ancak klasik beslenme nedeniyle üretilmesi daha kolay olmalıdır. 2029 yılının özellikle heyecan verici olmasının nedeni budur ve TSMC, arkada beslenme ile birlikte A14 teknolojisi ile yonga üretmek istiyor. Üretici henüz performans değerlerini atamıyor. N2'den A16'ya yapılan değişiklik neyin mümkün olduğunu gösterir.
(MMA)
En iyi TSMC üretim süreçleri şu anda 2022'nin sonundan bu yana seri olan N3 nesli süreçleridir. Farklı uygulama alanları için N3P ve N3E gibi optimize edilmiş varyantlar vardır. Örneğin Apple, şu anda N3E teknolojisi için A18 ve A18 Pro'yu üretti.
2025'in ikinci yarısında, A Sınıfı A 2 nanometrenin üretimi başlangıçta başlatıldı, bunu AMD ve Intel izliyor. N2 ile TSMC, yüzgeç şeklindeki alan etkisinin (Finfet) transistörlerini bir kapı allup (GAFET) yapısıyla değiştirir. TSMC bu nanosheet'i çağırıyor.
3 nm N3E işlemine kıyasla, N2 aynı elektrik tüketimi ile performansı yüzde 10'dan 15'e çıkarmalıdır. Alternatif olarak, aynı performansa sahip enerji tüketimi yüzde 15 ila 30 azalır. Transistörün yoğunluğu yaklaşık yüzde 15 artar.
Her zamanki gibi, temel teknolojinin gelişmiş varyantları, 2 nm üretiminde, yani N2P ve N2X'i gelir. N2P, bazı yüzde puanların performansını ve verimliliğini artırmayı amaçlamaktadır. Seri üretiminin 2026'nın ikinci yarısında başlaması bekleniyor. N2X 2027 için planlanıyor ve yüksek saat frekansları için açıkça tasarlandı – tepe değerleri yüzde 10 artmalıdır.
Önümüzdeki birkaç yılın TSMC'leri yol haritası. Gösterilmedi: 2029 için süper güç kılavuzu ile bir A14 sürümü geliştirildi.
(Resim: Tayvan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
işlem | N2 ve N3E | N2P Vs. N3E | A16 Vs. N2P | A14 Vs. N2 |
performans | +% 10-15 | +% 18 | +% 8-10 | +% 10-15 |
Enerji tüketimi | -25-30% | % -36 | % -15-20 | -25-30% |
Çip yoğunluğu | 1.15x | > = 1.15x | 1.07-1.1x | ~ 1.2x |
Nesil N2'den sonra, Intel Foundry gibi TSMC, kızgın isimler şemasına geçer. A16 geçmişte sadece 1.6 nm olurdu – isimlerin hala gerçek yapısal genişliklerle ilgisi olmadığından, değişiklik hoş karşılanıyor.
A16 klasik anlamda yeni bir süreç değildir. Transistör yapısı, N2 üretimine kıyasla büyük ölçüde aynı kalır. Bununla birlikte, TSMC, Intel Power yollarına benzer şekilde SO -Called Super Power (SPR) kılavuzunu tanıtır. Bu teknoloji aynı zamanda arkada bir beslenme kaynağı olarak tanımlanır. Transistörlerin güç kaynağı için metal sistemler üstten alt kısmına yükselir. Bu, üstteki veri yollarını reddeder ve normal bir nesil sıçramasının yakınında TSMC'ye göre elektriksel özellikleri önemli ölçüde geliştirir.
TSMC, N2P'den daha yüksek performansın yüzde 8 ila 10'undan bahsediyor. Alternatif olarak, elektrik tüketimi yüzde 15 ila 20 azalır. Transistörler şairlerin detoksifikasyonu ile kavranabildiğinden, paketin yoğunluğu yüzde 7'den 10'a yükselir.
Bu iyileştirmeler TSMCS A16 işlemi ile sağlanır. PPA, performans (performans iyileştirmesi), güç (azaltılmış enerji tüketimi) ve alan (çip yoğunluğu) içindir.
(Resim: Tayvan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
Nanosheet ile A14 daha da gelişti
2028 için A14 ile TSMC, transistör yapısını daha da geliştirmektedir; Şirket bu nedenle ikinci nesil Nanosheet'ten bahsediyor. Ancak, ilk A14 sürümü süper güç kılavuzu olmadan sağlanır. SPR yoluyla iyileştirmeler olmadan, performansın artması başlangıçta ılımlıdır. TSMC sadece N2 ile karşılaştırılır (N2P değil!): Güçten % 15'e kadar veya yüzde 30 daha az enerji tüketimi.
A14 başlangıçta SPR olmadan gelir, bu yüzden avantajlar ilk bakışta orta derecede görünür.
(Resim: Tayvan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)
Değerleri hesaplarsanız, A14 temel sürümü, performansın özellikleri açısından A16'dan neredeyse daha iyidir, ancak klasik beslenme nedeniyle üretilmesi daha kolay olmalıdır. 2029 yılının özellikle heyecan verici olmasının nedeni budur ve TSMC, arkada beslenme ile birlikte A14 teknolojisi ile yonga üretmek istiyor. Üretici henüz performans değerlerini atamıyor. N2'den A16'ya yapılan değişiklik neyin mümkün olduğunu gösterir.
(MMA)